Tiristor de commutació ràpida

Descripció:

Tiristor de commutació ràpida, amb la mateixa estructura i símbol del tiristor de control de fase, mentre que les millors característiques estàtiques, especialment les característiques dinàmiques, són necessàries per l'aplicació d'alta freqüència de rectificació, tall, inversor i circuit de conversió de freqüència.Els paràmetres dinàmics del tiristor ràpid són la velocitat d'encesa ràpida i la velocitat d'expansió d'encesa, menys càrrega de recuperació inversa i temps d'apagat curt, alta taxa d'augment crític del corrent en estat (di/dt) i velocitat crítica de augment de la tensió fora d'estat (dv/dt).El corrent nominal del tiristor ràpid dins de la freqüència nominal no disminueix o disminueix una mica quan la freqüència augmenta.

L'estàndard de fabricació de tiristors de commutació ràpida i la tecnologia de processament de RUNAU Electronics es va introduir des dels Estats Units des de la dècada de 1980, com a pioner en la fabricació de tiristors a la Xina, l'equip tècnic de RUNAU havia adquirit els coneixements d'avantguarda i una àmplia experiència de fabricació durant més de 30 anys.Sobre la base del procés de fabricació tradicional, els tècnics de talent de RUNAU Electronics havien desenvolupat la tecnologia de l'art de l'estat en la fabricació de tiristors amb característiques avantatges dels productes europeus, la qualitat i el rendiment es milloren considerablement, s'han aconseguit més grans victòries en les aplicacions d'electrònica de potència, i es va crear més valor per als socis.

Introducció:

1. Xip

El xip de tiristors fabricat per RUNAU Electronics és la tecnologia d'aliatge sinteritzat emprada.La hòstia de silici i molibdè es va sinteritzar per a l'aliatge d'alumini pur (99,999%) en un ambient d'alt buit i alta temperatura.L'administració de les característiques de sinterització és el factor clau per afectar la qualitat del tiristor.El coneixement de RUNAU Electronics, a més de gestionar la profunditat de la unió d'aliatge, la planitud de la superfície, la cavitat de l'aliatge, així com l'habilitat de difusió completa, el patró de cercle d'anell, l'estructura especial de la porta.També es va utilitzar el processament especial per reduir la vida útil del dispositiu, de manera que la velocitat de recombinació del portador intern s'accelera molt, es redueix la càrrega de recuperació inversa del dispositiu i, en conseqüència, es millora la velocitat de commutació.Aquestes mesures es van aplicar per optimitzar les característiques de commutació ràpida, les característiques de l'estat i la propietat del corrent de sobretensió.El rendiment i l'operació de conducció del tiristor és fiable i eficient.

2. Encapsulació

Mitjançant un estricte control de la planitud i el paral·lelisme de l'hòstia de molibdè i el paquet extern, el xip i l'hòstia de molibdè s'integraran amb el paquet extern de forma estreta i completament.Això optimitzarà la resistència del corrent de sobretensió i el corrent de curtcircuit elevat.I la mesura de la tecnologia d'evaporació d'electrons es va utilitzar per crear una pel·lícula d'alumini gruixuda a la superfície de l'hòstia de silici, i la capa de ruteni xapada a la superfície de molibdè millorarà considerablement la resistència a la fatiga tèrmica, el temps de vida útil del tiristor de commutació ràpida augmentarà significativament.

Especificació tècnica

1. Tiristor de commutació ràpida amb xip tipus aliatge fabricat per RUNAU Electronics, gamma de I_TAVde 200A a 4000A i V_DRM/V_RRMde 1200V a 4500V.
2. I_GT, V_GTi jo_Hsón els valors de prova a 25 ℃, tret que s'indiqui el contrari, tots els altres paràmetres són els valors de prova sota T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Amplada de la base del corrent de mitja ona sinusoïdal.A 50 Hz, I²t=0,005I²FSM (A²S);
4. A 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;jo²t(8,3 ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Paràmetre: