Tiristor de control de fase (tipus d'aliatge)

Descripció:

El tiristor, també conegut com Silicon Control Rectifier (SCR), és un dispositiu semiconductor d'alta potència que consta de tres estructures PN.Pel que fa al rendiment, el tiristor no només té una conductivitat unidireccional, sinó que també té una controlabilitat més valuosa que l'element rectificador de silici, que només dos estats de conducció i estat desactivat, per controlar una gran potència amb poca potència, amplificació de potència fins a centenars o milers de vegades.La reacció és molt ràpida, s'encén i s'apaga en microsegons.Funcionament sense contacte, sense espurnes, sense soroll, alhora que alta eficiència i baix cost.Per tant, especialment en el sistema d'alimentació d'alta potència, el tiristor s'ha utilitzat àmpliament en circuits rectificadors, interruptors de derivació estàtic, interruptors de sortida sense contacte i altres circuits.

L'estàndard de fabricació de tiristors i la tecnologia de processament de RUNAU Electronics es va introduir des dels Estats Units des de la dècada de 1980, com a pioner en la fabricació de tiristors a la Xina, l'equip tècnic de RUNAU havia adquirit els coneixements d'avantguarda i una àmplia experiència de fabricació durant més de 30 anys.Sobre la base del procés de fabricació tradicional, els tècnics de talent de RUNAU Electronics havien desenvolupat la tecnologia d'última generació en la fabricació de tiristors amb característiques avantatges dels productes europeus, la qualitat i el rendiment es milloren considerablement, s'han aconseguit més grans guanys en l'aplicació de l'electrònica de potència. camps i es va crear més valor per als socis.

Introducció:

1. Xip

El xip de tiristors fabricat per RUNAU Electronics és la tecnologia d'aliatge sinteritzat emprada.La hòstia de silici i molibdè es va sinteritzar per a l'aliatge d'alumini pur (99,999%) en un ambient d'alt buit i alta temperatura.L'administració de les característiques de sinterització és el factor clau per afectar la qualitat del tiristor.El coneixement de RUNAU Electronics, a més de gestionar la profunditat de la unió de l'aliatge, la planitud de la superfície, la cavitat de l'aliatge, així com l'habilitat de difusió completa, la porta central, el patró de cercle d'anell es van aplicar per permetre l'operació de conducció fiable i altament eficient del tiristor, per tal de garantir un rendiment d'alta qualitat.

2. Encapsulació

Mitjançant un estricte control de la planitud i el paral·lelisme de l'hòstia de molibdè i el paquet extern, el xip i l'hòstia de molibdè s'integraran amb el paquet extern de forma estreta i completament.Això optimitzarà la resistència del corrent de sobretensió i el corrent de curtcircuit elevat.I la mesura de la tecnologia d'evaporació d'electrons es va utilitzar per crear una pel·lícula d'alumini gruixuda a la superfície de l'hòstia de silici, i la capa de ruteni xapada a la superfície de molibdè millorarà considerablement la resistència a la fatiga tèrmica, el temps de vida útil del tiristor augmentarà significativament.

Especificació tècnica

1. Tiristor de fase controlada amb xip tipus aliatge fabricat per RUNAU Electronics, gamma de I_TAVde 300A a 6000A i V_DRM/V_RRMde 800V a 4400V.
2. I_GT, V_GTi jo_Hsón els valors de prova a 25 ℃, tret que s'indiqui el contrari, tots els altres paràmetres són els valors de prova sota T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Amplada de la base del corrent de mitja ona sinusoïdal.A 50 Hz, I²t=0,005I²FSM (A²S);
4. A 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;jo²t(8,3 ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Paràmetre: