Descripció:

El xip de tiristor quadrat és una mena de xip de tiristor i una estructura semiconductora de quatre capes amb tres unions PN, incloent porta, càtode, hòstia de silici i ànode.El càtode, la hòstia de silici i l'ànode són de forma plana i quadrada.Un costat de la hòstia de silici s'uneix amb un càtode, un altre costat s'uneix amb un ànode, s'obre un forat de plom al càtode i la porta està disposada al forat.La superfície de la porta, el càtode i l'ànode estan revestides amb material de soldadura.Els principals processos de producció inclouen: neteja d'hòsties de silici, difusió, oxidació, fotolitografia, corrosió, protecció de passivació, metal·lització, assaig i trossejat.

Cartera de producció:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

Tipus de porta:

• Porta cantonera triangular: ITAV=25A~60A

• Porta central rodó: ITAV=110A~200A

Estructura:

• Mesa doble

• L'ànode metal·litzat és TiNiAg metàl·lic multicapa o Al+TiNiAg

• La capa de càtode metal·litzada és Al o TiNiAg

Característiques:

• Difusió distribuïda d'alumini, baixa caiguda de tensió a l'estat, alta tensió de bloqueig

• Forma d'angle negatiu doble

• Material de protecció de passivació: SIPOS+GLASS+LTO

• IL baix i àmplia aplicació

• Capa gruixuda d'alumini i fàcil unió

• Excel·lent consistència del disparador