Xip del tiristor
Xip del tiristor
El xip de tiristors fabricat per RUNAU Electronics va ser introduït originalment per l'estàndard de processament de GE i la tecnologia que compleix amb l'estàndard d'aplicació dels EUA i qualificat per clients d'arreu del món.Es presenta en fortes característiques de resistència a la fatiga tèrmica, llarga vida útil, alta tensió, gran corrent, forta adaptabilitat ambiental, etc. El 2010, RUNAU Electronics va desenvolupar un nou patró de xip de tiristor que combinava l'avantatge tradicional de GE i la tecnologia europea, el rendiment i l'eficiència es va optimitzar molt.
Paràmetre:
| Diàmetre mm | Gruix mm | Voltatge V | Porta Dia. mm | Diàmetre interior del càtode. mm | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Especificació tècnica:
RUNAU Electronics ofereix xips de semiconductors de potència de tiristor controlat de fase i tiristor de commutació ràpida.
1. Baixa caiguda de tensió a l'estat
2. El gruix de la capa d'alumini és de més de 10 micres
3. Taula de protecció de doble capa
Consells:
1. Per mantenir el millor rendiment, el xip s'emmagatzemarà en condicions de nitrogen o buit per evitar el canvi de tensió causat per l'oxidació i la humitat de les peces de molibdè.
2. Mantingueu sempre neta la superfície del xip, feu servir guants i no toqueu el xip amb les mans nues.
3. Operar amb cura en el procés d'ús.No danyi la superfície de la vora de resina del xip i la capa d'alumini a la zona del pol de la porta i el càtode
4. En prova o encapsulació, tingueu en compte que el paral·lelisme, la planitud i la força de subjecció de l'aparell han de coincidir amb els estàndards especificats.Un paral·lelisme deficient donarà lloc a una pressió desigual i un dany de xips per força.Si s'imposa un excés de força de pinça, el xip es farà malbé fàcilment.Si la força de fixació imposada és massa petita, el mal contacte i la dissipació de calor afectaran l'aplicació.
5. El bloc de pressió en contacte amb la superfície del càtode del xip s'ha de recuit
Recomanem força de pinça
| Mida de xips | Recomanació de força de pinça |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 o Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 o Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |