NORMA DE PRODUCCIÓ DEL DIODE DE SOLDADURA SÈRIE ZW
Les referències normatives aplicades per Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co en la producció de díodes de soldadura van ser les següents:
1. GB/T 4023—1997 Dispositius discrets de dispositius semiconductors i circuits integrats Part 2: díodes rectificadors
2. GB/T 4937—1995 Mètodes de prova mecànica i climàtica per a dispositius semiconductors
3. JB/T 2423—1999 Dispositius semiconductors de potència - Mètode de modelització
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Mètode de prova del díode rectificador
Model i mida
1. Nom del model: el model del díode de soldadura fa referència a la normativa de JB/T 2423-1999, i el significat de cada part del model es mostra a la figura 1 a continuació:
2. Símbols gràfics i identificació (sub)terminal
Els símbols gràfics i la identificació del terminal es mostren a la figura 2, la fletxa apunta al terminal del càtode.
3. Forma i dimensions d'instal·lació
La forma del díode soldat és convexa i de tipus disc, i la forma amb mida ha de complir els requisits de la figura 3 i la taula 1.
| Article | Mida (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Brida del càtode (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Mesa de càtode i ànode(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Diàmetre màxim de l'anell de ceràmica(D2màxim) | 55.5 | 71,5 | 90 |
| Gruix total (A) | 8 ± 1 | 8 ± 1 | 13±2 |
| Forat de posició de muntatge | Diàmetre del forat: φ3,5 ± 0,2 mm, Profunditat del forat: 1,5 ± 0,3 mm | ||
| Nota: mida i mida detallada si us plau consultar | |||
Valoracions i característiques
1. Nivell de paràmetres
La sèrie de voltatge de pic repetitiu invers (VRRM) s'especifica a la taula 2
Taula 2 Nivell de tensió
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Nivell | 02 | 04 |
2. Valors límit
Els valors límit s'han de complir amb la taula 3 i s'apliquen a tot el rang de temperatures de funcionament.
Taula 3 Valor límit
| Valor límit | Símbol | Unitat | Valor | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Temperatura de la caixa | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Temperatura d'unió equivalent (màx.) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Temperatura del magatzem | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Tensió inversa de pic repetitiu (màx.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Tensió de pic inversa no repetitiva (màx | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Corrent mitjà directe (màx.) | IF（AV） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Corrent de sobrecàrrega directa (no repetitiva) (màx.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (màx.) | Jo no | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Força de muntatge | F | kN | 22~24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. Valors característics
Taula 4 Valors màxims de característiques
| Caràcter i condició | Símbol | Unitat | Valor | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Tensió punta directaIFM=5000A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Corrent de pic repetitiu inversTj= 25 ℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Resistència tèrmica Unió a caixa | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Nota: per a requisits especials, consulteu | ||||||
Eldíode de soldaduraproduït per Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor s'aplica àmpliament a la soldadura de resistència, la màquina de soldadura de mitjana i alta freqüència de fins a 2000 Hz o superior.Amb una tensió de punta ultra baixa, una resistència tèrmica ultra baixa, una tecnologia de fabricació d'última generació, una excel·lent capacitat de substitució i un rendiment estable per als usuaris globals, el díode de soldadura de Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor és un dels dispositius més fiables de la potència de la Xina. productes semiconductors.